國產光刻機一直是中國半導體工業極力爭取的目標。日前，有消息稱上海微電子有望最快年底向市場交付首台國產28nm工藝沉浸式前道光刻機。
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快科技引述《証卷日報》消息，上海微電子已經在28nm沉浸式光刻機的研發取得了重大進展。預計在2023年年底，他們將向市場推出國產的第一台SSA/800-10W光刻機設備。光刻機是決定半導體生產工藝水平高低的核心技術，由光學系統、微電子系統、計算機系統、精密機械系統和控制系統等構件組成，因此極為複雜和精密。上海微電子裝備(集團)股份有限公司（SMEE）成立於2002年，專注於半導體裝備、泛半導體裝備和高端智能裝備的開發和技術服務。他們的產品廣泛應用於集成電路前道等製造領域。
雖然中國在最先進的EUV光刻機方面起步晚了50年，與國外巨頭存在很大的差距，但在非最先進製程的中高端光刻機方面，上海微電子已經具備自主生產、成熟穩定的產品，並有著較高的市場佔有率。即將推出的SSA/800-10W光刻機就是這一系列的最新產品之一。此外，上海微電子還擁有2.5D/3D封裝光刻機，其精度在0.6微米左右，儘管與前道光刻機有所差距，但仍屬於世界領先水平。此前，上海微電子公開表示在泛半導體方面有所研究，有多個技術路線，但具體細節不能透露。根據數據顯示，中國在清洗、熱處理、去膠設備的國產化率分別達到34％、40％、90％，在塗膠顯影、刻蝕、真空鍍膜的國產化率達到10-30％，而在原子層沉積、光刻、量測檢測、離子注入方面的國產化率暫時低於5％。
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Source：快科技