Samsung IBM 新晶片技術大幅提升電池續航!宣稱手機可一星期不充電

| 梁綺文 | 16-12-2021 10:00 | |
Samsung IBM 新晶片技術大幅提升電池續航!宣稱手機可一星期不充電

Samsung 以及 IBM 早前共同發佈了一款最新研發的半導體設計架構,能讓晶片中的電晶體垂直堆疊。透過這種技術,手機電池的續航力有機會長達一周?

  • Samsung 以及 IBM 早前共同發佈了一款最新研發的半導體設計架構
  • 利用 VTFET 架構,新晶片能提升效能並降低功耗
  • 官方宣稱新晶片能讓手機的電池續航力在不充電的情況下持續一周

外媒報導指出,這種名為「垂直傳輸場效應電晶體」(VTFET)的架構能讓電流上下流動,這個設計除了能提高電晶體密度,亦能提升晶片效能和降低功耗。相比起現今的「鰭式場效電晶體」(FinFET)架構晶片,新晶片的效能能增加兩倍,而功耗則可降低 85%。

利用這項新技術,官方宣稱新晶片能讓手機的電池續航力在不充電的情況下持續一周,預料日後能用於加密幣挖礦與資料加密、物聯網裝置等。

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Source:The VergeUDN

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