PLC SSD 超短壽命? 顆粒只能 35 次完全擦寫!

| 賴立賢 | 30-06-2020 19:19 | |

SSD 固態硬碟內的快閃顆粒已經開始由 TLC (Triple-Layer Cell) 轉向 QLC (Quad-Level Cell),而下世代 PLC (Penta-Level Cell) 也開始登場,但從最新的報告指,PLC 的完全擦寫原來只有 35 次,代表 PLC SSD 壽命將極短。

  • PLC SSD 超短壽命
  • PLC 顆粒只能 35 次完全擦寫
  • 還取決於製程技術

TLC (Triple-Layer Cell) 快閃顆粒內,每個 Cell 可儲存 3-bit 資料、QLC 為 4-bit,而 PLC 則進一步提升至 5-bit。每個寫入動作的電壓變化級別,TLC 及 3D TLC 為 8 級,QLC 為 16 級,而 PLC 則達到 32 級,故 PLC 不適宜經常進行讀寫,寫入壽命更短。

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每個寫入動作的電壓變化級別,TLC 及 3D TLC 為 8 級,QLC 為 16 級,而 PLC 則達到 32 級,故 PLC 不適宜經常進行讀寫,寫入壽命更短。

最近,DRAMeXchange 報告更指出, TLC 採用 5xnm 制程 P/E (完全擦寫) 壽命可高達 2500,而轉用 3xnm、2xnm、1xnm 制程後,P/E 壽命則下降至約 1250、750 及 500 次,而 PLC 則更跨張,在 1xm 製程下 P/E 壽命只有 35 次。不過,DRAMeXchange 的數據均只是 2D NAND Flash 下的估預,如換上 3D NAND Flash 配合多層堆疊及使用 2xnm 甚至至 3xnm 制程的話,壽命則可延長,但仍只適合作「Cold Storage」(冷儲存) 應用。

PLC 在 1xm 製程下 P/E 壽命只有 35 次。

PLC 在 1xm 製程下 P/E 壽命只有 35 次。

換上 3D NAND Flash 配合多層堆疊及使用 2xnm 甚至至 3xnm 制程的話,PLC 壽命則可延長。

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Source:DRAMeXchange

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