Intel 正式發表 PLC (Penta-Level Cell) 全新快閃記憶體，每顆快閃顆粒的內部結構，由今年 96-Layer，到 2020 年大幅倍增 50% 至 144-Layer。PLC SSD 產品首先主攻企業級儲存市場，並逐步取代傳統磁性硬碟。
- 繼 QLC 之後，發展至 PLC
- QLC 每 Cell 儲存 4-bit 資料
- PLC 提升至每 Cell 5-bit 資料
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資料密度增 25%
Intel 上周在南韓首爾舉行《Intel Memory and Storage Day 2019》技術峰會，按計劃時間表，2020 年將供應全新 PLC (Pent-Level Cell) 快閃記憶體，又稱「5-bits/cell」。顧名思義，PLC 內部每 1 個最基本 Cell 單元，可儲存多達 5-bit 資料，資料密度高達 1,280Gbits (160GB)。相比下，Intel 在 2018 年推行 QLC (Quad-Level Cell；又稱 4-bits/cell)，每個 Cell 儲存 4-bit 資料，資料密度最高 1,024Gbits，PLC 的每個 Cell 儲存容量再增加 25%。
業界自 2016 年推行 3D NAND 技術，快閃記憶體晶片由傳統 Planar (平面) 鋪排，變成立體堆疊式架構。3D NAND 好處是快閃顆粒在相同面積下，大幅提高儲存容量，兼達到點對點直接傳輸，改善存取尤其是寫入速度。3D NAND 技術首次應用於 TLC 快閃顆粒 (Triple-Level Cell；3-bits/cell)，稱為「3D TLC」。Intel 於 2016 年 8 月推出首款 3D TLC 產品 ── 600p 系列 M.2 SSD，快閃顆粒內部結構 32-Layer，資料密度 384Gbits (即 48GB)。
2018 年 1 月推出 760p 系列 M.2 SSD，可視為第二代 3D TLC，內部提升至 64-Layer，資料密度為 1,024Gbits (即 128GB)。同年 8 月，Intel 率先推行 QLC，繼續應用 3D NAND 技術及 64-Layer 結構。至於 2019 年，將 QLC 提升至 96-Layer 結構，Intel 更於技術峰會期間，正式發表全新 665p 系列 M.2 SSD。按計劃時間表，QLC 於 2020 年將進化至 144-Layer 結構。
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PLC 先用於企業市場
技術層面方面，TLC 需要 8 級電壓變化完成資料讀寫動作，QLC 則倍增至 16 級，PLC 更需要 32 級電壓變化，估計損耗及存取延遲比 TLC 及 QLC 更高。因此，Intel 主張 PLC 首先應用於企業儲存市場，以 PLC SSD 取代傳統磁性硬碟，讓大型企業、數據中心 (Datacenter) 等環境，有效節省儲存伺服器的電費開支。
傳統磁性硬碟採用機械式設計，磁碟及主軸馬達動作時非常耗電，而且產生一定熱力。相比之下，SSD 由快閃顆粒構成，沒有機械組件，因而耗電極低，即使 PLC，平均存取速度及反應延遲等，依然較傳統磁性硬碟優勝得多。Intel 同時透露，首批 PLC 快閃顆粒屬於 144-Layer 結構，採用浮動閘極 (Floating Gate) 晶片設計，官方解釋，雖然業界主流使用電荷捕獲 (Charge-Trapping Flash；CTF) 晶片設計，但浮動閘極的抗電磁干擾能力，較電荷捕獲類型更優良。
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Source：ezone.hk、PC World、Legit Reviews